Laser erdieroaleak 1962an asmatu ziren eta 1970ean uhin etengabeko funtzionamendua lortu zuten heteroegitura bikoitzarekin, komunikazio optikorako oinarrizko argi iturri bihurtuz. InGaAsP/InP sistemak 1300/1550 nm-ko galera baxuko komunikazio-banda onartzen du, eta MOCVD fabrikazio-teknologia nagusi bihurtu da.
Laser erdieroaleairabazi-medio batek eta Fabry-Perot erresonagailu batek osatzen dute. Biztanleriaren inbertsioa garraiolari injekzio bidez gauzatzen da, eta laser igorpen estimulatuaren bidez sortzen da. Luzerako moduaren tartea barrunbearen luzeraren arabera zehazten da, eta moduaren blokeoak luzetarako hainbat moduren fase sinkronizatzea eskatzen du.
Eremu zabaleko laser baten eskema
Hainbat laser diseinu InGaAsP/InP material sistema erabiliz.
Komunikazio bandarako InGaAsP/InP material-sistema hartzen da, 1300-1600 nm-koa hartzen duena. MOCVD epitaxiaren hazkundeak zehaztasun handiko sarearen parekatzea lortzen du, hau da, laser komertzialen fabrikazio eskema nagusia.
Atalase-korrontea esponentzialki handitzen da tenperaturarekin, eta T₀ tenperatura ezaugarriak tenperaturaren egonkortasuna islatzen du. Abiadura handiko modulazioa kapazitate baxuko eta indize-gidatutako egitura sendoetan oinarritzen da.
Laser erdieroaleek tamaina txikia eta fidagarritasun handia dute, komunikazio optikorako, ponpa iturrietarako, inprimatzeko eta detektatzeko oinarrizko argi-iturri gisa jarduten dute, miniaturizazioa eta modu ultraazkar blokeatutako sistemen integrazioa onartzen dutenak.
