5 mm InGaAs PIN Photodiode TO5

Produktuaren ikuspegi orokorra   - 5 mm InGaAs PIN Photodiode TO5

Box Optronics-eko BPD-5STO5B-FW 5 mm-ko eremu aktiboko InGaAs PIN fotodiodoa da TO5 pakete hermetiko batean, leiho lau batekin. Bere 900 -1650 nm-ko erantzun espektralak infragorri hurbileko sentsazio eta espektroskopia uhin-luzera arruntak estaltzen ditu. 5 mm-ko eremu aktibo handiak bilketa optikorako gaitasun handia eta lerrokatze-tolerantzia eskaintzen ditu izpi handi edo dibergenteetarako, espazio askeko detekzio optikorako, potentzia neurtzeko eta NIR sentsatzeko aplikazioetarako egokia da.

Ezaugarri nagusiak   - 5 mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· Eremu aktiboaren diametro handia: 5 mm

· Erantzun espektral-barruti zabala: 900 nm eta 1650 nm

· Erantzunkortasun handia: 0,9 A/W tipikoa 1310 nm-tan; 0,95 A/W tipikoa 1550 nm-n

· Corronte ilun baxua

· To5 leiho lauko metalezko pakete hermetikoa

· Espazio libreko detekzio optikorako eta habe handiko potentzia neurtzeko egokia

Aplikazio tipikoak   - 5 mm InGaAs PIN Photodiode TO5

· Potentzia-neurgailu optikoak eta eskuko potentzia optikoa neurtzeko gailuak

· Potentzia optikoa kontrolatzeko moduluak eta ekipo optikoko potentzia kontrolatzeko integratua

· Zuntz optikoko komunikazioaren proba eta neurketa tresnak

· Espazio libreko detekzio optikoa eta detektatzeko sistema optikoak izpi handiak edo dibergenteak dituztenak

· Infragorri hurbileko (NIR) espektroskopia eta tresna analitikoak 900-1650 nm tartean

· Atenuatzaile optikoen kalibrazioa eta osagai optikoen karakterizazioa

· Fotonika ikerketa eta laborategiko neurketa optikoko tresneria

· OEM integrazioa proba optikoko ekipoetan, zuntz optikoko tresnetan eta sistema optiko industrialetan

Produktuaren zehaztapenak   - 5 mm InGaAs PIN Photodiode TO5

Balorazio maximo absolutuak (TC = 25 °C)

Ezaugarri Elektrooptikoak (TC = 25°C)

Paketearen neurriak eta pinaren definizioa   - 5 mm InGaAs PIN Photodiodo TO5

Eskaeraren informazioa   - 5 mm InGaAs PIN Photodiode TO5

Ereduzko Nomenklatura

BPD - X X TO XX - X - X

Adibidea: BPD-5STO5B-FW

Fitxa teknikoa

fitxa teknikoa

Maiz egiten diren galderak (FAQ)

G: Zein da 5 mm, 3 mm, 2 mm eta 1 mm InGaAs PIN fotodiodoen artean?

A: Ezberdintasun nagusia eremu aktiboaren diametroa da, eta horrek bilketa optikoari, lerrokatze-perdoiari eta juntura-kapazitateari eragiten dio (eta, beraz, banda-zabalera). 5 mm-ko gailuak eremu aktibo handiena eta lerrokatze-tolerantzia handiagoa eskaintzen du, espazio librea detektatzeko, habe handi edo dibergenteak eta lerrokatze zehatza zailagoa den potentzia optikoa neurtzeko egokia da. Hala ere, bere eremu aktibo handiagoak juntura-kapazitate handiagoa eragiten du (160pF ​​tipikoa -5V-tan), banda zabalera mugatuz eremu txikiagoko gailuekin alderatuta. 3 mm eta 2 mm-ko gailuek bilketa optikoaren gaitasun eta banda-zabaleraren arteko oreka eskaintzen dute, 1 mm-ko gailuak, oro har, kapazitate txikiagoa eta erantzun azkarragoa eskaintzen du, baina lerrokatze optiko zehatzagoa behar du. Aukeraketa habearen tamainaren, akoplamendu metodoaren eta aplikazioaren banda-zabaleraren araberakoa da.

G: Zein uhin-luzera detektatu dezake 5 mm-ko InGaAs fotodiodo honek?

E: InGaAs PIN fotodiodo honek 900nm-tik 1650nm-ra arteko erantzun espektral zabala eskaintzen du, normalean erabiltzen diren uhin-luzera optikoak barne hartzen dituena, besteak beste, O-banda (1260-1360nm), C-banda (1530-1565nm) eta L-banda (1565-1625nm). Erantzunkortasuna 1310 nm (0,9 A/W tipikoa) eta 1550 nm (0,95 A/W tipikoa) zehazten da. Egokia da NIR detektatzeko aplikazioetarako, hala nola potentzia optikoa neurtzeko, laser bidezko monitorizazioa, detektatzeko, espektroskopia eta tresneria optikorako.

G: Zein da gutxieneko eskaera-kopurua (MOQ)?

A: 5mm InGaAs PIN Photodiode TO5-rako MOQ unitate 1 da. Eskaera-kopuru malguak onartzen ditugu, I+Grako eta prototipoak egiteko unitate bakarretik, tresnen ekoizpenerako eta OEM programetarako bolumen handiagoetara. Jarri harremanetan gure salmenta-taldearekin eskatutako kantitatearen araberako prezioak lortzeko.

Eragiketa-oharrak eta manipulazioa

· Fotodiodoa manipulatzean ESD babesteko prozedura egokiak jarraitu.

· Ez ukitu kableak edo leiho optikoa hatz hutsekin.

· Gordetu erabiltzen ez dituzun gailuak ESD-ren aurkako ontzietan edo erretilu eroaleetan.

· Ez gainditu datu-orrian zehaztutako tentsio eta tenperatura maximo absolutuak.

· Garbitu arretaz leiho optikoa IPArekin eta litxarrik gabeko zapi batekin soilik leihoaren materialarekin bateragarria denean.

· Behatu polaritate zuzena eta erabili zero-polarizazioa edo alderantzizko eragiketa aplikazioaren zirkuituaren arabera.

· FW bertsiorako, erdiratu izpi gorabeheratsua eremu aktiboan detektatzeko; 5 mm-ko eremu aktiboak lerrokatze-tolerantzia zabala eskaintzen du.

· Saihestu korronteetan gehiegizko tentsio mekanikoa soldatzean eta muntatzean.

Lotutako produktuak

· 1mm-ko eremu aktiboko InGaAs PIN fotodiodoa  (Ereduak: BPD-1STO46B-BL lente boladunarekin eta BPD-1STO46B-FW leiho lauarekin)

· 2 mm InGaAs PIN Photodiodo TO5 (eredua: BPD-2STO5B-FW)

· 3mm InGaAs PIN Photodiodo TO5 (eredua: BPD-3STO5B-FW)

· Pigtailed InGaAs PIN fotodiodo detektagailua

Jarri harremanetan gure salmenta-taldearekin erlazionatutako produktuei eta fotodetektagailu pertsonalizatuei buruzko soluzioei buruzko informazio gehiago lortzeko.